电荷陷入存储单元的自收敛擦除方法及其系统

摘要

一种电荷陷入存储单元的操作方法及其结构。存储单元的操作方法包括通过注入负电荷至电荷陷入结构层内，以使存储单元的临界电压高于高状态临界值，以于存储单元建立高临界状态。此方法还包括使用自收敛偏压程序，其通过减少电荷陷入结构层内的负电荷以设定存储单元的临界电压低于低临界状态，于存储单元建立低临界状态。通过执行偏压程序以减少存储单元内的负电荷，此偏压程序至少包括偏压脉冲。此偏压脉冲平衡了流入和流出电荷陷入结构层内的电荷，使电荷陷入结构层内的电荷达到自收敛在期望的临界基准上。如此，将避免过擦除的情况发生。

主权项

1.一种电荷陷入存储单元的操作方法，该存储单元包括第一沟道端、第二沟道端、电荷陷入结构与闸极端，该第一沟道端作为汲极或源极，该第二沟道端作为源极或汲极，该方法包括：通过注入负电荷至该电荷陷入结构内，以使该存储单元的临界电压高于高状态临界，以在该存储单元建立高临界状态；以及在该存储单元建立低临界状态，通过减少该电荷陷入结构内的负电荷，以使该存储单元的该临界电压低于该低临界状态下的特定值，通过进行偏压程序使在该低临界状态下的该临界电压收敛至该特定值，该偏压程序包括第一阶段与第二阶段，该第一阶段包括当该电荷陷入结构内的负电荷量高于该低状态临界时，以对应于该电荷陷入结构内的负电荷量的反应速率，减少该电荷陷入结构结构内的负电荷量，而该第二阶段包括当该电荷陷入结构的负电荷量低于该低状态临界时，增加该负电荷陷入结构内的负电荷量。