| 发明名称 | 硅晶片以及用于制造硅晶片的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于制造高质量已退火晶片的方法，其中所述晶片在被置于前和后无杂区(DZ)之间的体区内具有均匀且高密度的体微缺陷(BMD)，所述方法增加了吸取金属杂质Fe、Cu等的效应，并且其在器件的有源区提供了无缺陷区。 | ||
| 申请公布号 | CN1697130A | 申请公布日期 | 2005.11.16 |
| 申请号 | CN200410096681.2 | 申请日期 | 2004.12.03 |
| 申请人 | 希特隆股份有限公司 | 发明人 | 尹晟豪;裵昭益;文英熙 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/00;H01L21/324;C30B33/02 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种具有前侧、后侧和被置于所述前侧和后侧之间的区的硅晶片，所述硅晶片包括：从所述前侧延伸到距离前侧预定深度的第一无杂区，所述第一无杂区基本上没有晶体起源坑；从所述后侧延伸到距离后侧预定深度的第二无杂区，所述第二无杂区基本上没有晶体起源坑；以及被形成在所述第一无杂区和所述第二无杂区之间的体区，其中体微缺陷的浓度分布在体区内基本上是常数；其中硅晶片凝聚有1×1012个原子/cm3至1×1014个原子/cm3的氮。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道 | ||