发明名称 |
互补金属-氧化物-半导体结构及其制作方法 |
摘要 |
提供了一种用于互补金属-氧化物-半导体(CMOS)结构中的绝缘中间层,用来防止不希望的阈值电压与平带电压的偏移。此绝缘中间层位于介电常数大于4.0的栅介电层与含Si栅极导体之间。本发明的绝缘中间层为任何金属氮化物,它也可可选地含氧,能够稳定阈值与平带电压。在优选实施方式中,绝缘中间层为氮化铝或氮氧化铝,栅介电层为氧化铪、铪硅酸盐或氮氧化硅铪。本发明对稳定p型场效应晶体管的阈值与平带电压是特别有效的。 |
申请公布号 |
CN1697181A |
申请公布日期 |
2005.11.16 |
申请号 |
CN200510069668.2 |
申请日期 |
2005.05.10 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
小内斯特·A.·伯加克祖克;埃杜阿德·A.·卡特尔;马丁·M.·弗兰克;爱维格尼·果塞弗;撒普拉迪克·古哈;维嘉·纳拉亚纳恩 |
分类号 |
H01L27/092;H01L21/8238 |
主分类号 |
H01L27/092 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.一种互补金属-氧化物-半导体结构,包括:半导体衬底,其中含有源和漏扩散区,所述源和漏扩散区被器件沟道隔开;以及位于器件沟道上面的栅极叠层,所述栅极叠层包括高κ栅介电层、绝缘中间层和含Si栅极导体,所述绝缘中间层位于所述高κ栅介电层和含Si栅极导体之间,并能使此结构的阈值电压与平带电压稳定为目标值。 |
地址 |
美国纽约 |