| 发明名称 | 阻挡层抛光溶液 | ||
| 摘要 | 适用于在非铁互连金属的存在下优先去除阻挡层材料并且具有有限的电介质侵蚀的抛光溶液。该抛光溶液包含0至20wt％的氧化剂，至少0.001wt％的抑制剂以便降低该非铁互连金属的去除速率，10ppb至4wt％的配位剂，0至50wt％的研磨剂和余量的水；而且该溶液具有小于7的pH。 | ||
| 申请公布号 | CN1696235A | 申请公布日期 | 2005.11.16 |
| 申请号 | CN200510067350.0 | 申请日期 | 2005.04.20 |
| 申请人 | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 | 发明人 | 刘振东;J·匡西;R·E·施密特;T·M·托马斯 |
| 分类号 | C09K3/14;H01L21/304 | 主分类号 | C09K3/14 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 范征 |
| 主权项 | 1.用于在非铁互连金属的存在下优先去除阻挡层材料并且具有有限的电介质侵蚀的抛光溶液，该抛光溶液包含：0至20wt％的氧化剂，至少0.001wt％的抑制剂以便降低该非铁互连金属的去除速率，10ppb至4wt％的配位剂，0至50wt％的研磨剂和余量的水；而且该溶液具有小于7的pH。 | ||
| 地址 | 美国特拉华 | ||