| 发明名称 | P型氮化物半导体结构以及双极晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种p型氮化物半导体结构，通过在加工损伤的p型氮化物半导体上再生长含In的p型氮化物半导体，可修复加工损伤，大幅度改善欧姆特性。此外，还提供了一种可显著改善电流增益并显著提高开启电压的p型氮化物半导体双极晶体管。在通过蚀刻处理的p型氮化物半导体(2)上形成含In的p型氮化物半导体层(8)。在具有p型氮化物半导体基极层的双极晶体管中，通过再生长，在通过蚀刻发射极层(1)而暴露的p型InGaN基极层(2)上形成含In的p型InGaN基极层(8)。 | ||
| 申请公布号 | CN1698210A | 申请公布日期 | 2005.11.16 |
| 申请号 | CN200480000279.8 | 申请日期 | 2004.01.06 |
| 申请人 | 日本电信电话株式会社 | 发明人 | 牧本俊树;熊仓一英;小林直树 |
| 分类号 | H01L29/737;H01L21/331;H01L21/28 | 主分类号 | H01L29/737 |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 方挺;余朦 |
| 主权项 | 1.一种p型氮化物半导体结构，其特征在于，在采用蚀刻加工的p型氮化物半导体上，设置有再生长的含铟的p型氮化物半导体层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||