| 发明名称 | 存储器件和存储装置 | ||
| 摘要 | 一种存储器件10具有如下的结构，其中，存储器薄膜4夹在第一和第二电极2和6之间，该存储器薄膜4至少包含稀土元素，该存储器薄膜4或与该存储器薄膜接触的层3包含从Cu、Ag、Zn中选出的任一种元素，而且该存储器薄膜4或与该存储器薄膜接触的层3包含从Te、S、Se中选出的任一种元素。该存储器件能方便稳定地记录并读出信息，并且该存储器件能由相对简单的制造方法方便地制造。 | ||
| 申请公布号 | CN1697195A | 申请公布日期 | 2005.11.16 |
| 申请号 | CN200410094244.7 | 申请日期 | 2004.11.29 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 荒谷胜久;前坂明弘;河内山彰;对马朋人 |
| 分类号 | H01L27/24;H01L27/10;G11C11/00 | 主分类号 | H01L27/24 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 吕晓章;马莹 |
| 主权项 | 1.一种存储器件，包括：第一电极；第二电极；夹在第一和第二电极之间的存储器薄膜，其中，该存储器薄膜包含至少一稀土元素，所述存储器薄膜或与所述存储器薄膜接触的一个层包含从Cu、Ag、Zn中选择的任何一种元素，该存储器薄膜或所述与该存储器薄膜接触的层还包含从Te、S、Se中选择的任何一种元素。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||