发明名称 |
电致发光显示装置和具有电致发光显示装置的电子装置 |
摘要 |
提供一种电子装置,其中防止装置的退化和改善孔径比,而没有使用黑掩模和没有提高掩模数量。在该电子装置中,第一电极(113)形成在一个层上,该层与其上形成栅极配线作为栅电极(145)的层不同,和具有像素开关TFT的半导体层重叠在栅极配线(145)上,从而不受光的照射。因此,抑制TFT的退化,并实现高孔径比。 |
申请公布号 |
CN1227739C |
申请公布日期 |
2005.11.16 |
申请号 |
CN01119275.5 |
申请日期 |
2001.02.28 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;小山润;犬饲和隆 |
分类号 |
H01L27/00;H05B33/14;G09F9/33 |
主分类号 |
H01L27/00 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
罗朋;梁永 |
主权项 |
1.一种电致发光显示装置,包括:包括多个象素的象素区域,各象素包括:一个开关晶体管;一个电流控制晶体管;一个发光元件;其中,所述开关晶体管包括:一个半导体层,形成在衬底上;一个源极区域和一个漏极区域,形成在所述半导体层中;一个沟道形成区域,形成在所述半导体层中,位于所述源极区域和所述漏极区域之间;一个栅电极,形成在所述沟道形成区域之上,而一个栅极绝缘膜位于其间;一个夹层绝缘膜,形成在所述栅电极上;以及连接于所述栅电极的栅极配线,形成在所述夹层绝缘膜之上,并重叠所述沟道形成区域。 |
地址 |
日本神奈川县 |