半导体集成电路

摘要

本发明的课题为用红外线区域的激光可靠地对在芯片上层形成的熔断器进行激光熔断。本发明中的半导体集成电路具备：在半导体衬底的主表面一侧形成的布线构件；与布线构件连接且具有规定的厚度的熔断性构件；覆盖熔断性构件的底面和侧面的阻挡构件；覆盖阻挡构件的至少侧面部分的光吸收构件；以及埋置布线构件、熔断性构件、阻挡构件和光吸收构件的绝缘构件，光吸收构件的复介电常数与熔断性构件的复介电常数相比，具有实数项的绝对值小而虚数项大的值。希望光吸收构件的厚度为熔断性构件的熔断中使用的光显示出最大吸收效率的厚度的50％以上至300％以下。光吸收构件由氮化钽、氮化钨或氮化钛等构成。

主权项

1.一种半导体集成电路，其特征在于：具备：在半导体衬底的主表面一侧形成的布线构件；与上述布线构件连接且具有规定的厚度的熔断性构件；覆盖上述熔断性构件的底面和侧面的光吸收构件；以及埋置上述布线构件、上述熔断性构件和上述光吸收构件的绝缘构件，与上述熔断性构件的复介电常数相比，上述光吸收构件的复介电常数具有实数项的绝对值小而虚数项大的值；上述光吸收构件的厚度为熔断性构件的熔断中使用的光显示出最大吸收效率的厚度的50％以上至300％以下；以及上述光吸收构件的高度以熔断性构件的熔断中使用的光的半波长的整数倍为中心处于上述光的半波长的正负37％以内。