| 发明名称 | 半导体衬底及其制造方法 | ||
| 摘要 | 进行在第一衬底上注入离子并在第一衬底中形成离子注入层的第一步骤，该第一衬底具有镓构件上的砷化镓层，将第一衬底粘结到第二衬底以形成粘结衬底叠层的第二步骤，以及将粘结衬底叠层在离子注入层处分开的第三步骤，从而制造半导体衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN1698180A | 申请公布日期 | 2005.11.16 |
| 申请号 | CN200480000686.9 | 申请日期 | 2004.04.28 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 米原隆夫 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L27/12 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体衬底制造方法，包括：在具有镓构件上的砷化镓层的第一衬底中注入离子并在第一衬底中形成离子注入层的第一步骤；将第一衬底粘结到第二衬底以形成粘结衬底叠层的第二步骤；以及将粘结衬底叠层在离子注入层处分开的第三步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||