将离子束注入于半导体装置的方法

摘要

本发明提供了一种用于注入离子于一半导体装置的方法，其能够补偿再施行均匀离子注入至基板之全部表面时产生的基板部分与边缘部分之间的阈电压之差异，以及用于制造一半导体装置的其它方法，其能够通过形成一非均匀沟道掺杂层或通过形成一非均匀结轮廓(profile)来增进基板之内部晶体管参数之分布。

主权项

1.一种用于通过非均匀离子注入以局部不同剂量向半导体装置注入离子之方法。