| 发明名称 |
THERMALLY ANNEALED SILICON WAFERS HAVING IMPROVED INTRINSIC GETTERING |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP1129471(B1) |
申请公布日期 |
2005.11.16 |
| 申请号 |
EP19990942528 |
申请日期 |
1999.08.27 |
| 申请人 |
MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. |
发明人 |
FALSTER, ROBERT, J. |
| 分类号 |
H01L21/26;H01L21/322;(IPC1-7):H01L21/00 |
主分类号 |
H01L21/26 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
