发明名称 |
ELECTRODOS, PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA UNA ESTRUCTURA DE MEMORIA. |
摘要 |
Un medio (EM) de electrodos que comprende una primera y una segunda capas (L1, L2) de electrodos de película delgada con electrodos (s) en la forma de conductores eléctricos en forma de banda en cada capa, en el que los electrodos (s) de la segunda capa (L2) de electrodos están orientados longitudinalmente básicamente de forma ortogonal con respecto a los electrodos (e) de la primera capa (L1), en el que al menos una de las capas (L1, L2) de electrodos se dispone sobre una superficie aislante de un substrato o plano de apoyo (7, 7¿) y en el que las capas (L1, L2) de electrodos están dispuestas en planos separados paralelos que están en contacto con una capa (3) globalmente dispuesta de un medio funcional.
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申请公布号 |
ES2242883(T3) |
申请公布日期 |
2005.11.16 |
申请号 |
ES20020778118T |
申请日期 |
2002.11.08 |
申请人 |
THIN FILM ELCTRONICS ASA |
发明人 |
GUDESEN, HANS, GUDE;LEISTAD, GEIRR, I. |
分类号 |
H01L21/3205;G11C11/22;H01L21/77;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L21/84;H01L27/10;H01L27/105;H01L27/115;H01L27/12;H01L27/28;H01L51/00;H01L51/40;(IPC1-7):G11C11/22;H01L21/823 |
主分类号 |
H01L21/3205 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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