发明名称 ELECTRODOS, PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA UNA ESTRUCTURA DE MEMORIA.
摘要 Un medio (EM) de electrodos que comprende una primera y una segunda capas (L1, L2) de electrodos de película delgada con electrodos (s) en la forma de conductores eléctricos en forma de banda en cada capa, en el que los electrodos (s) de la segunda capa (L2) de electrodos están orientados longitudinalmente básicamente de forma ortogonal con respecto a los electrodos (e) de la primera capa (L1), en el que al menos una de las capas (L1, L2) de electrodos se dispone sobre una superficie aislante de un substrato o plano de apoyo (7, 7¿) y en el que las capas (L1, L2) de electrodos están dispuestas en planos separados paralelos que están en contacto con una capa (3) globalmente dispuesta de un medio funcional.
申请公布号 ES2242883(T3) 申请公布日期 2005.11.16
申请号 ES20020778118T 申请日期 2002.11.08
申请人 THIN FILM ELCTRONICS ASA 发明人 GUDESEN, HANS, GUDE;LEISTAD, GEIRR, I.
分类号 H01L21/3205;G11C11/22;H01L21/77;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L21/84;H01L27/10;H01L27/105;H01L27/115;H01L27/12;H01L27/28;H01L51/00;H01L51/40;(IPC1-7):G11C11/22;H01L21/823 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人
主权项
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