氮化镓或氮化铝晶体的制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件材料的制造方法，更准确地是氮化镓或氮化铝晶体的制造方法，包括：在衬底上外延生长氮化镓或氮化铝；在400℃-1100℃下通入硅烷，输运量从10^-7mol/min—10^-5mol/min，反应时间从2秒到9分钟，在氮化镓或氮化铝表面热沉积形成硅的结晶颗粒，在硅的结晶颗粒中注入碳、氮或氧的离子形成碳化硅、氮化硅、或氧化硅；继续外延生长氮化镓或氮化铝。本发明可以有效降低位错，解决衬底与外延层失配问题。

主权项

1、一种氮化镓或氮化铝结晶的制造方法，其特征在于包括以下步骤：(1)在衬底上外延生长氮化镓或氮化铝；(2)在400℃-1100℃下通入硅烷，输运量从10-7mol/min--10-5mol/min，反应时间从2秒到9分钟，在氮化镓或氮化铝表面热沉积形成硅的结晶颗粒，在硅的结晶颗粒中注入碳、氮或氧的离子形成碳化硅、氮化硅、或氧化硅；(3)继续外延生长氮化镓或氮化铝；所述衬底是蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氧化锌、氧化镁、LiAlO2、或LiGaO2。