双极金属氧化物半导体场效应晶体管器件

摘要

公开了一种半导体器件包括：至少一个单元，该单元包括一个第一种导电型的基区(32)，在其中至少配置了一个第二种导电型的发射区(36a、36b)；一个第二种导电型的第一个阱区(22)；一个第一种导电型的第二个阱区(2a)；一个第二种导电型的漂移区(24)；一个第一种导电型的集电区(14)；一个集电极接点(16)，其中每一个单元放置在第一个阱区(22)中，而第一个阱区(22)放置在第二个阱区(20)中；该器件还包括：第一个栅极(61)，安置在基区(32)上，以使一个MOSFET沟道可以在发射区(36a、36b)和第一个阱区(22)之间形成；该器件还包括：第二个栅极，安置在第二个阱区(20)之上，以使一个MOSFET沟道可以在第一个阱区(22)和漂移区(24)之间形成。

主权项

1、一种半导体器件，包括：至少一个单元，包括一个第一导电型的基区，在其中至少配置了一个第二导电型的发射区；一个第二导电型的第一个阱区；一个第一导电型的第二个阱区；一个第二导电型的漂移区；一个第一导电型的集电区；一个集电极接点；其中，每个单元安置在第一个阱区内，而第一个阱区安置在第二个阱区内；该器件还包括：第一栅极，该第一栅极安置在一个基区的上方，以使在发射区和第一个阱区之间形成一个MOSFET沟道；该器件还包括：第二栅极，该第二栅极安置在第二个阱区之上，以使在第一个阱区和漂移区之间形成一个MOSFET沟道；其中这样构造该器件以使在器件工作过程中，在基区和第一个阱区之间的结处的一耗尽区可以延伸至第一个阱区和第二个阱区之间的一结处，因此，将第一个阱区的电势与集电极触点处任何电势的增加相隔离，以使该器件可被关闭而不必在基区和第二个阱区之间形成一个MOSFET沟道。