| 发明名称 | 一种光发射和/或接收的半导体本体的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种光发射和/或接收半导体本体的制作方法，该半导体本体具有至少一层由GaAs<SUB>x</SUB>P<SUB>1-X</SUB>组成的半导体层，其中0≤x＜1，其特征在于，为了改善该半导体本体的光输出和/或输入耦合，至少半导体层的表面的一部分在第一刻蚀步骤中用H<SUB>2</SUB>SO<SUB>4</SUB>∶H<SUB>2</SUB>O<SUB>2</SUB>∶H<SUB>2</SUB>O混合物刻蚀溶液处理并在之后的第二刻蚀步骤中用氢氟酸处理，结果是至少半导体层的表面的一部分形成粗糙面(8)。 | ||
| 申请公布号 | CN1227748C | 申请公布日期 | 2005.11.16 |
| 申请号 | CN97196107.7 | 申请日期 | 1997.08.13 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | H·菲舍尔;E·尼尔施尔;W·维格莱特 |
| 分类号 | H01L31/0236;H01L33/00 | 主分类号 | H01L31/0236 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;王忠忠 |
| 主权项 | 1.用于制作光发射和/或接收半导体本体的方法，该半导体本体具有至少一层由GaAsxP1-X组成的半导体层，其中0≤x＜1，其特征在于，为了改善该半导体本体的光输出和/或输入耦合，至少半导体层的表面的一部分在第一刻蚀步骤中用H2SO4∶H2O2∶H2O混合物刻蚀溶液处理并在之后的第二刻蚀步骤中用氢氟酸处理，结果是至少半导体层的表面的一部分形成粗糙面(8)。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||