| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。 | ||
| 申请公布号 | CN1697199A | 申请公布日期 | 2005.11.16 |
| 申请号 | CN200510067218.X | 申请日期 | 1997.01.20 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;寺本聪;小山润;尾形靖;早川昌彦;纳光明;大谷久;滨谷敏次 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/00;G09F9/30;G02F1/136;H04N5/225;H04Q7/20;H04M1/02;H04N5/74 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;梁永 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，包括：设置在衬底上的晶体管；设置在所述晶体管上的第一层间介电膜；设置在所述第一层间介电膜上的源电极和漏电极；设置在所述源电极和所述漏电极上的第二层间绝缘膜；设置在所述第二层间介电膜中的锥形孔；设置在所述第二层间介电膜上的导电层；设置在所述导电层上的第三层间介电膜；以及设置在所述第三层间介电膜上的象素电极，其中所述导电层通过所述锥形孔与所述源电极和所述漏电极中的至少一个连接。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||