发明名称 | 在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法 | ||
摘要 | 本发明是关于一种在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法,包括在半导体元件表面上显影一光阻以暴露出部分表面,部分蚀刻复数个蚀刻路径以进入该半导体表面,检测并判定该些个蚀刻路径深度。 | ||
申请公布号 | CN1697151A | 申请公布日期 | 2005.11.16 |
申请号 | CN200410092718.4 | 申请日期 | 2004.11.11 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈拓宇;李美彦;许永隆 |
分类号 | H01L21/66 | 主分类号 | H01L21/66 |
代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
主权项 | 1、一种在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法,其特征在于该方法至少包括下列步骤:在半导体元件表面上显影一光阻以暴露出部分表面;部分蚀刻复数个蚀刻路径以进入该半导体表面;检测该些个蚀刻路径;以及判定该些受检测蚀刻路径深度。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 |