发明名称 |
半导体器件的制造方法 |
摘要 |
半导体器件的制造方法,包括:使推压面具有凸部的推压构件的推压面推压到流动性膜,在流动性膜形成转印了凸部的第1凹部。其次,在将推压构件推压到流动性膜的状态下,将流动性膜加热到第1温度而使流动性膜固化,形成具有第1凹部的固化膜。其次,将固化膜加热到比第1温度高的第2温度而焙烧固化膜,形成具有第1凹部的焙烧膜。其次,形成具有第二凹部形成用开口部的掩模后,使用掩模对焙烧膜进行蚀刻,在焙烧膜上形成至少与第1凹部连通的第2凹部。在焙烧膜的第1凹部及第2凹部埋入金属材料而形成插塞及金属布线。 |
申请公布号 |
CN1698182A |
申请公布日期 |
2005.11.16 |
申请号 |
CN200480000668.0 |
申请日期 |
2004.06.14 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
中川秀夫;笹子胜;平井义彦 |
分类号 |
H01L21/027;H01L21/768;H01L21/312;H01L21/316 |
主分类号 |
H01L21/027 |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:形成由具有流动性的绝缘性物质形成的流动性膜的工序;将推压面具有凸部的推压构件的所述推压面推压到所述流动性膜,在所述流动性膜形成由转印所述凸部形成的第1凹部的工序;通过在将所述推压面推压到所述流动性膜的状态下,将所述流动性膜加热到第1温度,固化所述流动性膜,形成具有所述第1凹部的固化膜的工序;通过将所述固化膜加热到比第1温度高的第2温度焙烧所述固化膜,形成具有所述第1凹部的焙烧膜的工序;通过在所述焙烧膜上,形成具有第2凹部形成用的开口部的掩模后,使用所述掩模对所述焙烧膜进行蚀刻,在所述焙烧膜形成至少与所述第1凹部连通的第2凹部的工序;以及通过在所述焙烧膜的所述第1凹部及所述第2凹部埋入金属材料,形成由所述金属材料形成的插塞及金属布线的工序。 |
地址 |
日本大阪府 |