| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在半导体衬底上设置具有开口部分42的层间绝缘膜41。向开口部分42内填埋以Cu为主要成分的布线本体层46。在开口部分内在层间绝缘膜41与布线本体层46之间存在有势垒膜44，势垒膜44以规定的金属元素和层间绝缘膜41的构成元素之间的化合物为主要成分。 | ||
| 申请公布号 | CN1697175A | 申请公布日期 | 2005.11.16 |
| 申请号 | CN200510052167.3 | 申请日期 | 2005.02.25 |
| 申请人 | 半导体理工学研究中心股份有限公司 | 发明人 | 小池淳一;和田真;高桥新吾;清水纪嘉;柴田英毅;西川哲;臼井孝公;那须勇人;吉丸正树 |
| 分类号 | H01L23/52;H01L23/532;H01L21/768 | 主分类号 | H01L23/52 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，具备：设置于半导体衬底上且具有开口部分的层间绝缘膜；埋入到上述开口部分内的以Cu为主要成分的布线本体层；在上述开口部分内存在于上述层间绝缘膜与上述布线本体层之间的势垒膜，上述势垒膜的主要成分为由规定的金属元素和上述层间绝缘膜的构成元素所构成的化合物。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||