发明名称 |
用于制造显示器件的方法 |
摘要 |
在用于制造具有发光元件的显示器件的方法中,第一基底绝缘膜、第二基底绝缘膜、半导体层、以及栅绝缘膜按所述顺序被形成在衬底上。栅电极被形成在栅绝缘膜上以便于与半导体层的至少一部分重叠,并且作为栅绝缘膜与第二基底绝缘膜中的像素部分的一部分掺杂有至少一种导电类型的杂质。通过选择性地蚀刻都掺杂有杂质的栅绝缘膜与第二基底绝缘膜而形成开口部分。第一基底绝缘膜被暴露在开口部分的底表面中。随后,绝缘膜被形成得覆盖开口部分、栅绝缘膜以及栅电极,并且发光元件被形成在绝缘膜上以便于与开口部分的至少一部分重叠。 |
申请公布号 |
CN1697576A |
申请公布日期 |
2005.11.16 |
申请号 |
CN200510070260.7 |
申请日期 |
2005.05.13 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;大沼英人;纳光明;安西彩;乡戶宏充;二村智哉 |
分类号 |
H05B33/10;H05B33/12 |
主分类号 |
H05B33/10 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
付建军 |
主权项 |
1.一种用于制造显示器件的方法,包括以下步骤:在衬底上形成第一基底绝缘膜;在第一基底绝缘膜上形成第二基底绝缘膜;在第二基底绝缘膜上形成半导体层;在半导体膜上形成栅绝缘膜;在栅绝缘膜上形成栅电极以便于与半导体层的至少一部分重叠;以至少一种导电类型的杂质对栅绝缘膜与第二基底绝缘膜掺杂;通过选择性地蚀刻都掺杂有杂质的栅绝缘膜与第二基底绝缘膜而形成开口部分,以便露出第一基底绝缘膜;形成绝缘膜以便于覆盖开口部分、栅绝缘膜以及栅电极;以及在绝缘膜上形成发光元件以便于与开口部分的至少一部分重叠。 |
地址 |
日本神奈川 |