光致发光薄膜及其辐照改性的制备方法

摘要

光致发光薄膜及其辐照改性的制备方法，涉及一种光电集成领域中的发光材料及其制备方法。目前制备的发光SiO₂薄膜存在发光不稳定和发光强度不高，制备方法用时较长的弊端。光致发光薄膜，在硅基片表面镀制铝膜，在铝膜表面镀制SiO₂薄膜，再通过质子辐射方法诱导改变SiO₂薄膜结构以获得光致发光。光致发光薄膜辐照改性的制备方法：(1)在硅基片表面间接制备SiO₂薄膜；(2)采用质子辐射诱导改变SiO₂薄膜结构以获得光致发光。本发明选用金属铝膜可以产生对硅基体性质的保护作用，从而使得集成电路的性能保持稳定。制备时间短，工艺简单，所得SiO₂薄膜光致发光在室温下稳定，没有淬灭现象，可获得波长约为375nm(3.3eV)的光致发光，利于推广应用。

主权项

1、一种光致发光薄膜，它包括硅基片、SiO2薄膜，其特征在于在硅基片表面镀制铝膜，在铝膜表面镀制SiO2薄膜，所述铝膜厚度为150～600nm，SiO2膜层厚度为100～250nm，通过质子辐射方法诱导改变SiO2薄膜结构以获得光致发光：首先采用通用的SRIM程序计算质子射程分布，选择质子辐照能量，使入射质子主要分布于铝膜层中；质子辐照剂量为5×1014～5×1017cm-2，辐照剂量率为1×1012～1×1013cm-2·s-1，辐照过程在低温77-150K下进行。