| 主权项 |
1.一种发光装置,包括:一基板,具有第一与第二相对表面;一作用区域,包括具有一第一导电类型之第一作用层,其位于该第一表面上,及具有一第二导电类型之第二作用层,其位于该第一作用层上;一第一电接触点,邻近该第二表面;一接触插头,延伸贯穿该基板及该作用区域,该接触插头将该第一电接触点耦合至该第二作用层;及一第二电接触点,在该第二表面耦合至该基板。2.如申请专利范围第1项之发光装置,尚包括:一介电隔离物,其位于该接触插头之侧面上,该介电隔离物将该接触插头与该基板及该第一作用层分开。3.如申请专利范围第2项之发光装置,其中该介电隔离物包括旋涂式玻璃、聚醯亚胺、二氧化矽及/或氧化矽。4.如申请专利范围第1项之发光装置,尚包括:一欧姆接触层,其位于该第二作用层上,该接触插头延伸贯穿该第一二作用层,以接触该欧姆接触层。5.如申请专利范围第4项之发光装置,其中该欧姆接触层包括以下各项之至少一者:氮化钛(TiN)、铂、镍/金、氧化镍/金、氧化镍/铂、钛(Ti)、及钛/金。6.如申请专利范围第5项之发光装置,其中该欧姆接触层具有介于约10与约100间之厚度。7.如申请专利范围第4项之发光装置,其中该欧姆接触层系至少部分透明。8.如申请专利范围第1项之发光装置,尚包括:一缓冲层,其位于该作用区域与该基板之间,该接触插头延伸贯穿该缓冲层。9.如申请专利范围第8项之发光装置,其中该缓冲层包括氮化铝。10.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该基板包括碳化矽(SiC)。11.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该接触插头包括金、银、一金合金,及/或一银合金。12.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该第一导电类型系n型,及其中该第二电接触点包括铝及钛中之至少一者。13.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该第二导电类型系P型,及其中该第一电接触点包括以下各项之至少一者:铂、镍,及钛/金。14.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该第一作用层包括氮化镓(GaN)。15.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该第二作用层包括氮化镓(GaN)。16.一种发光装置,包括:一基板,具有第一及第二相对表面;一作用区域,位于该第一表面上;第一及第二电接触点,邻近该第二表面,该等电接触点传导地耦合至该作用区域。17.如申请专利范围第16项之发光装置,其中该作用区域包括:具有一第一导电类型之第一作用层,其位于该第一表面上;及具有一第二导电类型之第二作用层,其位于该第一作用层上。18.如申请专利范围第17项之发光装置,尚包括:一接触插头,其延伸贯穿该基板及该作用区域,该接触插头将该第一电接触点耦合至该第二作用层。19.如申请专利范围第18项之发光装置,尚包括:一介电隔离物,其位于该接触插头之侧面上,该介电隔离物将该接触插头与该基板及该第一作用层分开。20.如申请专利范围第19项之发光装置,其中该介电隔离物包括旋涂式玻璃、一聚醯亚胺、二氧化矽,及/或氮化矽。21.如申请专利范围第18项之发光装置,尚包括:一欧姆接触层,其位于该第二作用层上,该接触插头延伸贯穿该第二作用层,以接触该欧姆接触层。22.如申请专利范围第21项之发光装置,其中该欧姆接触层包括以下各项之至少一者:氮化钛(TiN)、铂、镍/金、氧化镍/金、氧化镍/铂、钛(Ti),及钛/金。23.如申请专利范围第22项之发光装置,其中该欧姆接触层具有介于约10与约100间之厚度。24.如申请专利范围第21项之发光装置,其中该欧姆接触层系至少部分透明。25.如申请专利范围第18项之发光装置,尚包括:一缓冲层,其位于该作用区域与该基板之间,该接触插头延伸贯穿该缓冲层。26.如申请专利范围第25项之发光装置,其中该缓冲层包括氮化铝。27.如申请专利范围第18项之发光装置,其中该接触插头包括金、银、一金合金,及/或一银合金。28.如申请专利范围第17项之发光装置,其中该第一导电类型系n型,及其中该第二电接触点包括铝及钛中之至少一者。29.如申请专利范围第17项之发光装置,其中该第二导电类型系p型,及其中该第一电接触点包括以下各项之至少一者:铂、镍,及钛/金。30.如申请专利范围第17项之发光装置,其中该第一作用层包括氮化镓(GaN)。31.如申请专利范围第17之发光装置,其中该第二作用层包括氮化镓(GaN)。32.如申请专利范围第16之发光装置,其中该基板包括碳化矽(SiC)。33.一种形成发光装置之方法,包括:形成具有一第一导电类型之第一作用层,其位于一基板之第一表面上,该基板具有第一及第二相对表面;形成具有一第二导电类型之第二作用层,其位于该第一作用层上,该第一及第二作用层包括一作用区域;形成一通孔,其经过该基板及该作用区域;在该通孔中形成一接触插头;形成一第一电接触点,其邻近该第二表面,该接触插头将该第一电接触点第二作用层;及形成一第二接触点,其在该第二表面耦合至该基板。34.如申请专利范围第33项之方法,尚包括:形成一介电隔离物,其位于该接触插头之侧面,该介电隔离物使该接触插头与该基板及该第一作用层分开。35.如申请专利范围第34项之方法,其中形成该介电隔离物包括:将该通孔之至少一部分填满一介电材料;在该第二表面上形成一罩幕;及经由该罩幕蚀刻该介电材料。36.如申请专利范围第33项之方法,尚包括:在该第二作用层上形成一欧姆接触层,该接触插头延伸贯穿该第二作用层,以接触该欧姆接触层。37.如申请专利范围第33项之方法,其中形成该通孔包括:使用该欧姆接触层作为一蚀刻停止层而蚀刻该基板。38.如申请专利范围第37项之方法,其中执行蚀刻该基板系使用以下蚀刻技术之至少一者:湿式蚀刻、乾式蚀刻及微机械定型。39.如申请专利范围第33项之方法,尚包括:形成一缓冲层,其位于该作用区域与该基板间,该接触插头延伸贯穿该缓冲层。40.如申请专利范围第33项之方法,其中形成该接触插头包括:利用金、银、一金合金及/或一银合金而电镀该通孔。41.一种形成发光装置之方法,包括:在一基板之第一表面上形成一作用区域,该基板具有第一及第二相对表面;形成邻近该第二表面之第一及第二电接触点,该等电接触点传导地耦合至该作用区域。42.如申请专利范围第41项之方法,其中形成该作用区域包括:形成具有一第一导电类型之第一作用层,其位于该第一表面上;以及形成具有一第二导电类型之第二作用层,其位于该第一作用层上。43.如申请专利范围第42项之方法,尚包括:形成一接触插头,其延伸贯穿该基板及该作用区域,该接触插头将该第一电接触点耦合至第二作用层。44.如申请专利范围第43项之方法,尚包括:形成一介电隔离物,其位于该接触插头之侧面,该介电隔离物使该接触插头与该基板及该第一作用层分开。45.如申请专利范围第43项之方法,尚包括:形成一欧姆接触层,其位于该第二作用层上,该接触插头延伸贯穿该第二作用层,以接触该欧姆接触层。46.如申请专利范围第43项之方法,尚包括:形成一缓冲层,其位于该作用区域与该基板间,该接触插头延伸贯穿该缓冲层。图式简单说明:图1以剖面图说明一习用氮化镓(GaN)式发光二极体(LED);及图2A至2K根据本发明多种不同实施例,以剖面图说明数个发光装置及其形成方法。 |
