发明名称 覆盖对准器,制造其之方法及使用其测量覆盖程度之方法
摘要 一种覆盖对准器,其包含:一个第一覆盖对准器,其具有一个第一主覆盖图案及一个第一辅助图案;及一个第二覆盖对准器,其具有一个第二主覆盖图案及一个第二辅助覆盖图案,该第二辅助覆盖图案形成于一个对应于该第一辅助覆盖图案之位置。
申请公布号 TWI243443 申请公布日期 2005.11.11
申请号 TW090126513 申请日期 2001.10.26
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 白炅润;裴镛国
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 1.一种覆盖对准器,其包含:一个第一覆盖对准器,其具有一个第一主覆盖图案及一个第一辅助图案;及一个第二覆盖对准器,其具有一个第二主覆盖图案及一个第二辅助覆盖图案,其中,该第二辅助覆盖图案形成于一个对应于该第一辅助覆盖图案之位置,且该第一辅助覆盖图案之至少一部份系透过该第二辅助覆盖图案而暴露。2.如申请专利范围第1项所述之覆盖对准器,其中,该第一覆盖对准器及该第二覆盖对准器系具有一个框的形状。3.如申请专利范围第2项所述之覆盖对准器,其中,该第一辅助覆盖图案系形成于该第一覆盖对准器之一个角落部分。4.如申请专利范围第3项所述之覆盖对准器,其中,该第一主覆盖图案之一个长度系等于该第二主覆盖图案之一个对应侧之一个长度。5.如申请专利范围第4项所述之覆盖对准器,其中,该第一主覆盖图案系由该第二主覆盖图案之两个平行外侧线延伸之想像线所界定。6.如申请专利范围第1项所述之覆盖对准器,其中,该第一辅助覆盖图案系包含复数个彼此间隔开之条状图案。7.如申请专利范围第6项所述之覆盖对准器,其中,该第二辅助图案系包含复数个彼此间隔开之孔状图案。8.如申请专利范围第7项所述之覆盖对准器,其中,该两个相邻条状图案之间之间隔系比该孔状图案之一宽度为大。9.如申请专利范围第1项所述之覆盖对准器,其中,该第一辅助覆盖图案系包含复数个第一条状图案。10.如申请专利范围第9项所述之覆盖对准器,其中,该第二辅助覆盖图案系包含复数个第二条状图案,该复数个第二条状图案具有一个比该第一条状图案为小之宽度。11.如申请专利范围第1项所述之覆盖对准器,其中,该第一辅助覆盖图案系包含复数个孔状图案。12.如申请专利范围第11项所述之覆盖对准器,其中,该第二辅助覆盖图案系包含复数个条状图案。13.如申请专利范围第12项所述之覆盖对准器,其中,该第一辅助覆盖图案之该孔状图案之一个宽度系大于该第二辅助覆盖图案之该条状图案之该宽度。14.如申请专利范围第2项所述之覆盖对准器,其中,该第一辅助覆盖图案系形成于相邻于该第一覆盖对准器之一个角落部分之位置。15.如申请专利范围第14项所述之覆盖对准器,其中,该第一主覆盖图案之一个长度系等于该第二主覆盖图案之一个对应侧之一个长度。16.如申请专利范围第15项所述之覆盖对准器,其中,该第一主覆盖图案系由该第二主覆盖图案之两个平行外侧线延伸之想像线所界定。17.如申请专利范围第1项所述之覆盖对准器,其中,该第一覆盖对准器及该第二覆盖对准器系具有实质上矩形之形状。18.如申请专利范围第17项所述之覆盖对准器,其中,该第一辅助覆盖图案系形成于该第一覆盖对准器之一个角落部分。19.如申请专利范围第18项所述之覆盖对准器,其中,该第一主覆盖图案之一个长度系等于该第二主覆盖图案之一个对应侧之一个长度。20.如申请专利范围第19项所述之覆盖对准器,其中,该第一主覆盖图案系由该第二主覆盖图案之两个平行外侧线延伸之想像线所界定。21.如申请专利范围第17项所述之覆盖对准器,其中,该第一辅助覆盖图案系形成于相邻于该第一覆盖对准器之一个角落部分之一个位置。22.如申请专利范围第21项所述之覆盖对准器,其中,该第一主覆盖图案之一个长度系等于该第二主覆盖图案之一个对应侧之一个长度。23.如申请专利范围第22项所述之覆盖对准器,其中,该第一主覆盖图案系由该第二主覆盖图案之两个平行外侧线延伸之想像线所界定。24.如申请专利范围第1项所述之覆盖对准器,其中,该第一覆盖对准器及该第二覆盖对准器系用于藉由一光学显微镜而测量一覆盖程度,且该第一辅助覆盖图案及该第二辅助覆盖图案系用于藉由一成列之扫瞄电子显微镜而测量一覆盖程度。25.一种制造一覆盖对准器之方法,其包含:形成一个第一覆盖对准器于一个晶圆之上,该第一覆盖对准器系包含一个第一主覆盖图案及一个第一辅助覆盖图案;形成一个中间层于该晶圆之整个表面;形成一个第二覆盖对准器于一个晶圆之上,该第二覆盖对准器系具有一个第二主覆盖图案及一个第二辅助覆盖图案,该第二辅助覆盖图案系形成于一个对应于该第一辅助覆盖图案之位置;及使用该第二辅助覆盖图案作为一遮罩而蚀刻该中间层,使得该第二辅助覆盖图案系复制至该中间层之上,藉此暴露该第一辅助覆盖图案之至少一部份。26.如申请专利范围第25项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第一覆盖对准器及该第二覆盖对准器系用于藉由一光学显微镜而测量一覆盖程度,且该第一辅助覆盖图案及该第二辅助主覆盖图案系用于藉由一成列之扫瞄电子显微镜而测量一覆盖程度。27.如申请专利范围第25项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第一覆盖对准器及该第二覆盖对准器系具有一个框的形状。28.如申请专利范围第27项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第一辅助覆盖图案系形成于该第一覆盖对准器之一个角落部分。29.如申请专利范围第28项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第一主覆盖图案之一个长度系等于该第二主覆盖图案之一个对应侧之一个长度。30.如申请专利范围第29项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第一主覆盖图案系由该第二主覆盖图案之两个平行外侧线延伸之想像线所界定。31.如申请专利范围第25项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第一辅助覆盖图案系包含复数个彼此间隔开之条状图案。32.如申请专利范围第31项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第二辅助图案系包含复数个彼此间隔开之孔状图案。33.如申请专利范围第32项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该两个相邻条状图案之间之间隔系比该孔状图案之一宽度为大。34.如申请专利范围第25项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第一辅助覆盖图案系包含复数个第一条状图案。35.如申请专利范围第34项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第二辅助覆盖图案系包含复数个第二条状图案,该复数个第二条状图案具有一个比该第一条状图案为小之宽度。36.如申请专利范围第25项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第一辅助覆盖图案系包含复数个孔状图案。37.如申请专利范围第36项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第二辅助覆盖图案系包含复数个条状图案。38.如申请专利范围第37项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第一辅助覆盖图案之该孔状图案之一个宽度系大于该第二辅助覆盖图案之该条状图案之该宽度。39.如申请专利范围第27项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第一辅助覆盖图案系形成于相邻于该第一覆盖对准器之一个角落部分之一个位置。40.如申请专利范围第39项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第一主覆盖图案之一个长度系等于该第二主覆盖图案之一个对应侧之一个长度。41.如申请专利范围第40项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第一主覆盖图案系由该第二主覆盖图案之两个平行外侧线延伸之想像线所界定。42.如申请专利范围第25项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第一覆盖对准器及该第二覆盖对准器系具有实质上矩形之形状。43.如申请专利范围第42项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第一辅助覆盖图案系形成于该第一覆盖对准器之一个角落部分。44.如申请专利范围第43项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第一主覆盖图案之一个长度系等于该第二主覆盖图案之一个对应侧之一个长度。45.如申请专利范围第44项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第一主覆盖图案系由该第二主覆盖图案之两个平行外侧线延伸之想像线所界定。46.如申请专利范围第45项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第一辅助覆盖图案系形成于相邻于该第一覆盖对准器之一个角落部分之一个位置。47.如申请专利范围第46项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第一主覆盖图案之一个长度系等于该第二主覆盖图案之一个对应侧之一个长度。48.如申请专利范围第47项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第一主覆盖图案系由该第二主覆盖图案之两个平行外侧线延伸之想像线所界定。49.如申请专利范围第37项所述之制造一覆盖对准器之方法,其中,该第一覆盖图案及该第二覆盖图案形成于一个该第一主覆盖对准器及该第二主覆盖对准器彼此不对应之位置。50.一种测量一覆盖程度之方法,该方法包含:提供一覆盖对准器,该覆盖对准器系包含:一个第一覆盖对准器,其包含一个第一主覆盖图案及一个第二辅助覆盖图案,及一个第二覆盖对准器,其包含一个第二覆盖图案及一个第二主辅助覆盖图案,该第一辅助覆盖图案系形成于一个对应于一个该第二辅助覆盖图案之位置;首先使用该第一及第二主覆盖图案而测量一个第一覆盖程度;其次使用该第一及第二辅助覆盖图案而测量一个第二覆盖程度;及比较该第一覆盖程度及该第二覆盖程度。51.如申请专利范围第50项所述之测量一覆盖程度之方法,其中,该第一覆盖程度系由一光学显微镜测量,且该第二覆盖程度系由一成列之扫瞄电子显微镜测量。图式简单说明:第1A至1C图系图示一个根据一个传统技艺之覆盖对准器之平面图;第2A及2B图系显示一个使用根据该传统技艺之该覆盖对准器而测量一覆盖程度之方法;第3A至3C图系图示一个根据本发明之一个第一较佳实施例之覆盖对准器之平面图;第4A至4C图系图示一个根据本发明之该较佳实施例之第一及第二辅助覆盖图案之一个第一实施例之平面图;第5A至5E图系图示一个根据本发明之较佳实施例之制造该覆盖对准器之方法之处理图;第6图系显示透过一个成列电子扫瞄显微镜所看到之第4A至4C图之该第一及第二辅助覆盖对准器之影像;第7A至7C图系图示一个根据本发明之较佳实施例之第一及第二辅助覆盖图案之一个第二实施例之平面图;第8图系一个沿着第7C图之Ⅷ-Ⅷ线所取得之剖面图;第9A至9C图系图示一个根据本发明之较佳实施例之第一及第二辅助覆盖图案之一个第三实施例之平面图;第10图系一个沿着第9C图之Ⅴ-Ⅴ线所取得之剖面图;第11A至11C图系图示一个根据本发明之一个第二较佳实施例之覆盖对准器之平面图;第12A至12C图系图示一个根据本发明之一个第三较佳实施例之覆盖对准器之平面图;第13A至13C图系图示一个根据本发明之一个第四较佳实施例之覆盖对准器之平面图;及第14A至14C图系图示一个根据本发明之一个第五较佳实施例之覆盖对准器之平面图。
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