| 主权项 |
1.一种沉积矽化钨膜之方法,其中当矽化钨层形成于多晶矽层上时,含磷原子气体系至少于形成矽化钨层之初期阶段添加至反应气体,以及含磷原子气体之添加量设定为于0.2%容积比至0.45%容积比之范围。2.一种沉积矽化钨膜之方法,其中当矽化钨层形成于多晶矽层上时,含磷原子气体系于矽化钨层形成的初期阶段添加至反应气体,以及矽化钨层形成温度设定为多晶矽层之矽原子被活化的温度。3.如申请专利范围第2项之沉积矽化钨膜之方法,其中该矽化钨层形成温度系设定为至少700℃。4.如申请专利范围第1或2项之沉积矽化钨膜之方法,其包括一第一阶段,其中含磷原子气体系添加至反应气体;以及一第二阶段,其中该含磷原子气体系未添加至反应气体。5.如申请专利范围第1或2项之沉积矽化钨膜之方法,其中该反应气体为六氟化钨(WF6)、二氯矽烷(SiCl2H2)及氢(Ar)。6.如申请专利范围第1项之沉积矽化钨膜之方法,其中矽化钨之生长核系形成于多晶矽层表面上。7.如申请专利范围第2项之沉积矽化钨膜之方法,其中可能产生的晶格缺陷系以多晶矽层或矽化钨层之矽原子填补。8.一种制备闸极/线路之方法,该方法包含:沉积矽化钨层于多晶矽层上之步骤,沉积矽层于矽化钨层上之步骤;以及侧壁氧化步骤,该步骤系形成氧化矽膜于包括多晶矽层以及矽化钨层之闸极/线路之侧壁上。9.如申请专利范围第8项之制备闸极/线路之方法,其中该矽层系作为于侧壁氧化步骤供给矽原子给氧化矽膜之来源。10.如申请专利范围第8项之制备闸极/线路之方法,其中该沉积矽化钨层于多晶矽层上之步骤,含磷原子气体系至少于矽化钨层形成的初期阶段添加至反应气体,以及含磷原子气体之添加量设定为0.2%容积比至0.45%容积比之范围。11.如申请专利范围第8项之制备闸极/线路之方法,其中该沉积矽化钨层于多晶矽层上之步骤,含磷原子气体系至少于矽化钨层形成的初期阶段添加至反应气体,以及矽化钨层形成温度系设定为该多晶矽层之矽原子被活化之温度。12.一种制备闸极/线路之方法,该方法包含:沉积矽化钨层于多晶矽层上之步骤,侧壁氧化步骤,氧化含盖多晶矽层及矽化钨层之闸极/线路层侧壁;以及短时间退火步骤系藉于沉积步骤及氧化步骤间进行。13.如申请专利范围第12项之制备闸极/线路之方法,其中该沉积矽化钨层于多晶矽层上之步骤,含磷原子气体系至少于矽化钨层形成的初期阶段添加至反应气体,以及含磷原子气体之添加量设定为0.2%容积比至0.45%容积比之范围。14.如申请专利范围第12项之制备闸极/线路之方法,其中该沉积矽化钨层于多晶矽层上之步骤,含磷原子气体系至少于矽化钨层形成的初期阶段添加至反应气体,以及矽化钨层形成温度系设定为该多晶矽层之矽原子被活化之温度。15.一种闸极/线路构造,包含:一多晶矽层;一形成于多晶矽层上之矽化钨层;以及一形成于矽化钨层上之矽层。16.如申请专利范围第15项之闸极/线路构造,其中该矽层于形成氧化矽膜于该侧壁上之侧壁氧化步骤中,系作为供给矽给侧壁之来源。17.如申请专利范围第15项之闸极/线路构造,其中该矽化钨层包含一含有一磷原子之第一矽化钨层,及一形成在该第一矽化钨层上之第二矽化钨层。18.如申请专利范围第8或12项之制备闸极/线路之方法,其中沉积一矽化钨层之步骤,系为一沉积一含有一磷原子之矽化钨层于多晶矽层上之步骤。19.如申请专利范围第12项之制备闸极/线路之方法,其中该短时间之退火步骤系为一用于防止矽原子从多晶矽层扩散之退火步骤。20.如申请专利范围第12项之制备闸极/线路之方法,其中该沉积矽化钨层在多晶矽层之步骤,包括将一含有一磷原子之矽化钨层沉积于多晶矽上之第一步骤,将一第二矽化钨层沉积于该第一矽化钨层上之第二步骤。图式简单说明:第1图为剖面图示意说明显示根据本发明之半导体元件之较佳具体实施例之主要部件。第2图为剖面图示意说明显示根据本发明之半导体元件之另一较佳具体实施例之主要部件。第3图为剖面图示意显示带有侧壁氧化形成的空隙之线路构造;以及第4图为透视图示意显示多晶矽层残留于第3图所示线路构造之状态。 |
