| 主权项 |
1.一种半导体装置,其包括: 一基板; 一形成于该基板上之第一传导层; 一第二传导层,其形成于该基板上且与该第一传导 层相距一预定距离; 一绝缘薄膜,其形成于该第一传导层与该第二传导 层之上表面上,且具有用以曝露该第一传导层或该 第二传导层中任一个的复数个第一开口部分以及 既不曝露该第一传导层也不曝露该第二传导层的 一个或多个第二开口部分;以及 一第三传导层,其以填满该等第一开口部分及该等 第二开口部分的方式形成于该绝缘薄膜之一上表 面上,以用于藉由该等第一开口部分来在该第一传 导层与该第二传导层之间进行电连接; 其中,该等第二开口部分沿该第三传导层形成于一 对该等第一开口部分之间。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该等第 二开口部分以一预定距离形成于该等第一开口部 分之间。 3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该第三 传导层由一包含铜的传导材料制成。 4.一种半导体装置,其包括: 一基板; 一形成于该基板上之第一传导层; 一第二传导层,其形成于该基板上且与该第一传导 层相距一预定距离; 一绝缘薄膜,其形成于该第一传导层与该第二传导 层之上表面上,且具有用以曝露该第一传导层之一 个末端部分或该第二传导层之一个末端部分的复 数个开口部分;以及 一第三传导层,其以填满该等开口部分的方式形成 于该绝缘薄膜之一上表面上以用于在该第一传导 层与该第二传导层之间进行电连接; 其中,该第三传导层具有一预定布线长度从而即使 该第三传导层之长度由于热膨胀或收缩而沿较长 长度方向改变仍维持该连接,且具有藉由该等开口 部分在该第三传导层之两末端处在该第一传导层 与该第二传导层之间的该电连接。 5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中该第三 传导层由一包含铜的传导材料制成。 6.一种制造一半导体装置的方法,其包括下列步骤: 在一基板上形成一第一传导层; 在该基板上与该第一传导层相距一预定距离形成 一第二传导层; 在该第一传导层与该第二传导层之上表面上形成 一绝缘薄膜; 在该绝缘薄膜中形成用以曝露该第一传导层或该 第二传导层中任一个的复数个第一开口部分与既 不曝露该第一传导层也不曝露该第二传导层的复 数个第二开口部分;以及 在该绝缘薄膜之一上表面上以填满该等第一开口 部分与该第二开口部分的方式形成一第三传导层, 以用于在该第一传导层与该第二传导层之间藉由 该等开口部分来进行电连接; 其中,该第二开口部分沿该第三传导层形成于一对 该等第一开口部分之间。 7.一种制造一半导体装置的方法,其包括下列步骤: 在一基板上形成一第一传导层; 在该基板上与该等第一传导层相距一预定距离形 成一第二传导层; 在该等第一传导层与该等第二传导层之上表面上 形成一绝缘薄膜; 在该绝缘薄膜中形成用以曝露该第一传导层之一 个末端部分或该第二传导层之一个末端部分中任 一个的复数个开口部分;以及 在该绝缘薄膜一上表面上以填满该等开口部分且 与该第一传导层及该第二传导层进行电连接的方 式形成一第三传导层; 其中,该第三传导层具有一预定布线长度从而即使 该等第三传导层之该长度由于热膨胀或收缩而沿 较长长度方向改变仍维持该连接,且具有藉由该等 开口部分在该第三传导层之两末端处在该第一传 导层与该第二传导层之间的该电连接。 图式简单说明: 图1为根据本发明第一实施例之半导体装置之一部 分的图解横截面图; 图2A为按顺序说明制造根据本发明第一实施例之 半导体装置的主要步骤的图解横截面图,且图2B为 按顺序说明制造根据本发明第一实施例之半导体 装置的主要步骤的图解横截面图; 图3A为按顺序说明制造根据本发明第一实施例之 半导体装置的主要步骤的图解横截面图,且图3B为 按顺序说明制造根据本发明第一实施例之半导体 装置的主要步骤的图解横截面图; 图4A为按顺序说明制造根据本发明第一实施例之 半导体装置的主要步骤的图解横截面图,且图4B为 按顺序说明制造根据本发明第一实施例之半导体 装置的主要步骤的图解横截面图; 图5A为按顺序说明制造根据本发明第一实施例之 半导体装置的主要步孙的图解横截面图,且图5B为 按顺序说明制造根据本发明第一实施例之半导体 装置的主要步骤的图解横截面图; 图6A为按顺序说明制造根据本发明第一实施例之 半导体装置的主要步骤的图解横截面图,且图6B为 按顺序说明制造根据本发明第一实施例之半导体 装置的主要步骤的图解横截面图; 图7为根据本发明第二实施例之半导体装置之一部 分的图解横截面图; 图8A为按顺序说明制造根据本发明第二实施例之 半导体装置的主要步骤的图解横截面图,且图8B为 按顺序说明制造根据本发明第二实施例之半导体 装置的主要步骤的图解横截面图; 图9A为按顺序说明制造根据本发明之半导体装置 的主要步骤的图解横截面图,且图9B为按顺序说明 制造根据本发明第二实施例之半导体装置的主要 步骤的图解横截面图; 图10为相关技术中半导体装置之一部分的图解横 截面图;以及 图11为相关技术中半导体装置之一部分的图解横 截面图。 |
