| 发明名称 |
CRYSTAL EPITAXY STRUCTURE OF GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
KR20050107126(A) |
申请公布日期 |
2005.11.11 |
| 申请号 |
KR20040032331 |
申请日期 |
2004.05.07 |
| 申请人 |
SUPERNOVA OPTOELECTRONICS CORPORATION |
发明人 |
HON SCHANG JING;LAI MU JEN |
| 分类号 |
H01L33/12;(IPC1-7):H01L33/00 |
主分类号 |
H01L33/12 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
