| 摘要 |
<P>Structure capacitive réalisée dans des niveaux d'un circuit intégré, comprenant : des empilages secondaires (2, 3) d'armatures secondaires superposées (4, 5), chaque armature secondaire comprend des branches transversales (8, 11) reliées par une branche longitudinale (10, 13) ; des moyens (14, 15) pour relier les armatures secondaires superposées de chacun desdits empilages ; des premiers et seconds moyens (16, 17) pour relier successivement et alternativement de façon à constituer un premier groupe secondaire (18) d'empilages secondaires (2) et un second groupe secondaire (19) d'empilages secondaires (3) ; au moins deux empilages principaux (20, 21) d'armatures principales superposées (22, 23) comprenant respectivement des branches transversales (24, 27) reliées par une branche longitudinale (25, 28), disposées de telle sorte que que les branches transversales des armatures principales et les branches transversales des armatures secondaires desdites rangées s'étendent à l'opposé les unes des autres et les unes entre les autres de façon alternative ; des moyens (26, 29) pour relier les armatures principales superposées de chacun desdits empilages principaux (20, 21) ; et des moyens (33a) pour relier lesdits empilages principaux (20, 21) de façon à constituer un groupe d'empilages d'armatures principales.</P>
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