Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren von dieser

摘要

Auf der Oberfläche eines Siliziumnitridfilms wird ein thermischer Oxidfilm ausgebildet, über welchem dann ein CVD-Oxidfilm ausgebildet wird, um einen Siliziumoxidfilm aus Filmen einer zweischichtigen Struktur vorzusehen. Weiterhin wird die Gesamtdicke der Filme der zweischichtigen Struktur auf einen Wert von 5 nm bis 30 nm festgelegt. Daher wird der Siliziumoxidfilm zu den Filmen einer zweischichtigen Struktur des thermischen Oxidfilms und des CVD-Oxidfilms gemacht, um dadurch die Dicke des Siliziumoxidfilms zu erzielen. Als Ergebnis ist es möglich, zu verhindern, dass eine Schwellwertspannung durch ein Ladungseinfangphänomen verringert wird, und zu verhindern, dass die Schwellwertspannung aufgrund der Vergrößerung der Vogelschnabellänge durch den Siliziumoxidfilm schwankt.