| 发明名称 |
Halbleiterspeicherbauelement mit SOI (Silizium auf Isolator) Struktur und Verfahren für dessen Herstellung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19923388(B4) |
申请公布日期 |
2005.11.10 |
| 申请号 |
DE1999123388 |
申请日期 |
1999.05.21 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
KIM, YUNG-GI |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/8242;H01L21/84;H01L27/02;H01L27/108;H01L27/12;(IPC1-7):H01L27/12 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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