| 发明名称 |
MOS-Gatterverknüpfte Vorrichtung vom Grabentyp mit einer verspannten Schicht an der Grabenseitenwand |
| 摘要 |
Eine MOS-gatterverknüpfte Grabenvorrichtung weist einen verringerten Ein-Widerstand durch Bilden einer weniger als etwa 13 nm dicken verspannten SiGe-Schicht auf der Siliziumoberfläche der Gräben und Bilden einer dünnen (30 nm oder weniger) Schicht aus epitaktisch aufgetragenem Silizium auf der SiGe-Schicht, wobei die Epitaxieschicht in eine Gateoxidschicht umgewandelt wird, auf. Der durch die SiGe-Schicht gebildete Leitungskanal wird dauerhaft verspannt, um seine Mobilität, insbesondere Lochmobilität, zu erhöhen.
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| 申请公布号 |
DE102004039981(A1) |
申请公布日期 |
2005.11.10 |
| 申请号 |
DE20041039981 |
申请日期 |
2004.08.12 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP., EL SEGUNDO |
发明人 |
JONES, DAVID PAUL;HAASE, ROBERT P. |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/331;H01L21/335;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/165;H01L29/417;H01L29/739;H01L29/778;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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