形成覆盖层于含铜金属内连线上的方法及多层半导体装置

摘要

本发明揭示一种形成覆盖层于含铜金属内连线上的方法及多层半导体装置，所述形成覆盖层于含铜金属内连线上的方法，该方法包括下列步骤：提供半导体基板，包括具有含铜金属内连线的介电绝缘层，其中介电绝缘层以及含铜金属内连线具有一露出的表面；形成第一覆盖层于该露出的表面上；于第一覆盖层上进行处理以增加覆盖层以及介电绝缘层的层间附着力。以及，形成第二覆盖层于第一覆盖层上。本发明可降低金属线间的漏电流，以及增加依时介电层崩溃测试以及改善铜电子迁移阻抗。

主权项

1、一种形成覆盖层于含铜金属内连线上的方法，其特征在于所述形成覆盖层于含铜金属内连线上的方法包括下列步骤：提供一半导体基板，包括一具有含铜金属内连线的介电绝缘层，其中该介电绝缘层以及该含铜金属内连线具有一露出的表面；形成第一覆盖层于该露出的表面上；于该第一覆盖层上进行处理以增加该覆盖层以及该介电绝缘层的层间附着力；以及形成第二覆盖层于该第一覆盖层上。