发明名称 | 包括半导体存储器元件的半导体器件及其制造方法 | ||
摘要 | 一种晶片,在该晶片中通过以格状图案排列的渠道在晶片的面上限定了多个矩形区域,且在各个矩形区域中设置半导体存储器元件,沿着渠道切割该晶片,以将矩形区域分割成单个的区域,由此形成多个半导体器件。在沿着渠道分割晶片之前,在晶片的背面形成具有0.20μm或更小的、尤其是0.05至0.20μm厚度的应变层。通过研磨部件研磨半导体器件的背面来形成该应变层,通过用粘接材料粘接具有4μm或更小粒径的金刚石磨粒形成所述研磨部件。 | ||
申请公布号 | CN1694227A | 申请公布日期 | 2005.11.09 |
申请号 | CN200510069623.5 | 申请日期 | 2005.04.30 |
申请人 | 株式会社迪斯科 | 发明人 | 南条雅俊 |
分类号 | H01L21/304 | 主分类号 | H01L21/304 |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
主权项 | 1、一种包括半导体存储器元件的半导体器件,其中在该半导体器件的背面上已经形成了具有0.20μm或更小厚度的应变层。 | ||
地址 | 日本东京 |