| 发明名称 | 具有多晶硅层的薄膜晶体管、制造方法及平板显示器 | ||
| 摘要 | 一种用于制造具有更均匀阈值电压的薄膜晶体管的方法，以及包括该薄膜晶体管的平板显示器件。该方法包括在衬底上形成非晶硅膜，从非晶硅膜的表面去除氧化硅层，在非晶硅膜的表面上形成氧化硅层，和通过结晶化非晶硅膜形成多晶Si层。 | ||
| 申请公布号 | CN1694232A | 申请公布日期 | 2005.11.09 |
| 申请号 | CN200510076239.8 | 申请日期 | 2005.04.29 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 张根浩;金玄圭;李洪鲁 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/311;H01L21/316;H01L29/786;G09F9/30 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;梁永 |
| 主权项 | 1.一种用于制造薄膜晶体管的方法，包括：在衬底上形成非晶硅膜；从非晶硅膜的表面去除第一氧化硅层；在非晶硅膜的表面上形成第二氧化硅层；和通过结晶化非晶硅膜形成多晶硅层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||