| 发明名称 | 探测方法、探测器和电极还原/等离子体刻蚀处理机构 | ||
| 摘要 | 本发明的探测方法包括使用形成气体对晶片(W)的电极(P)进行还原的步骤以及使电极(P)和探针(14A)在干燥气氛中彼此接触的步骤。该探测方法还包括，在被测物体(W′)的电极(P)的还原处理之前，将被测物体(W′)放置在惰性气体气氛中并加热被测物体(W′)。还原处理是在大气压下通过使还原气体与被测物体(W′)的电极(P)接触来进行的。 | ||
| 申请公布号 | CN1695238A | 申请公布日期 | 2005.11.09 |
| 申请号 | CN03824859.X | 申请日期 | 2003.09.01 |
| 申请人 | 株式会社奥科泰克;东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 奥村胜弥;小松茂和;阿部祐一;古屋邦浩;樊尚·维津;久保谦一 |
| 分类号 | H01L21/66 | 主分类号 | H01L21/66 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种探测方法，使探针与具有电极的被测物体的至少一个电极电接触，从而测试该被测物体的电气特性，该方法包括：(a)对该被测物体的所述电极进行还原处理和等离子体刻蚀处理中的至少一种处理；(b)在非氧化气氛中使该测试电极和该探针彼此接触；和(c)测试该被测物体的电气特性。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||