| 发明名称 | 光磁记录介质和光磁存储装置 | ||
| 摘要 | 一种光磁记录介质，包括：具有ROM区域的基板，在该ROM区域上形成有成为ROM信号的多个相位凹坑；和形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上的用于记录RAM信号的光磁记录膜。位于各相位凹坑的深度的一半的±20％的位置上的相位凹坑端部的平均倾斜角度为10°～40°。各相位凹坑的宽度为300nm～500nm，各相位凹坑的调制度为10％～30％。 | ||
| 申请公布号 | CN1695188A | 申请公布日期 | 2005.11.09 |
| 申请号 | CN02829893.4 | 申请日期 | 2002.12.13 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 细川哲夫;青山信秀 |
| 分类号 | G11B11/105 | 主分类号 | G11B11/105 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李辉 |
| 主权项 | 1、一种光磁记录介质，其特征在于，包括：基板，具有形成有成为ROM信号的多个相位凹坑的ROM区域；和光磁记录膜，形成在上述基板的与上述ROM区域对应的区域上，用于记录RAM信号，位于上述各相位凹坑的深度的一半的±20％的范围内的位置上的相位凹坑端部的平均倾斜角度为10°～40°。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||