具有高性能集成电路多晶硅凝集熔消组件的互补金属氧化物半导体的工艺

摘要

一种互补金属氧化物半导体的工艺，该工艺包括创造具备作为晶体管栅极区域的第一厚度以及作为熔消组件区域的第二厚度的多晶硅层，该第一厚度较该第二厚度为大，其中，在该熔消组件区域中的大部分多晶硅将与金属层起反应，以在快速热退火工艺期间形成聚硅化物。

主权项

1.一种形成聚硅化物熔消组件的方法，该方法包括：提供一硅基板；在该硅基板上提供绝缘体；在该硅基板的绝缘体的正上方表面形成多晶硅层；在该多晶硅层之上形成掩膜层，该掩膜层暴露在该绝缘体上的多晶硅层的部份区域中；蚀刻该多晶硅层的暴露区域至一预定厚度；在该经蚀刻的多晶硅层的暴露区域上沉积一金属层；以及对该金属层进行退火以形成聚硅化物。