发明名称 高g值加速度计
摘要 本发明公开了一种高g值加速度计,该加速度计由加速度敏感梁、两块电路板和SOI硅微固态压阻芯片构成;该加速度敏感梁上有对称的台阶,两块电路板对称粘接在台阶上,SOI硅微固态压阻芯片设置在加速度敏感梁的中间,硅微固态压阻芯片与两块电路板通过引线连接。本发明采用双端固定的加速度敏感梁和硅隔离SOI硅微固态压阻芯片构成硅微应变固态压阻高g值传感器,解决了穿甲、掩体侵彻、钻地武器以及航弹等引信系统的高g值加速度测量问题。同时采用共晶焊接技术,解决了传感器迟滞问题。该加速度计传感器具有量程高、动态特性好、耐侯性强以及测量精度高、高过载等特点,能够满足穿甲、掩体侵彻、钻地武器以及航弹等引信系统高g值加速度的测量需要。
申请公布号 CN1693901A 申请公布日期 2005.11.09
申请号 CN200510042775.6 申请日期 2005.06.09
申请人 西安交通大学 发明人 赵玉龙;蒋庄德;高建忠;赵立波
分类号 G01P15/12 主分类号 G01P15/12
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 代理人 李郑建
主权项 1.一种高g值加速度计,其特征在于,该加速度计由加速度敏感梁(1)、两块电路板(2、3)和SOI硅微固态压阻芯片(4)构成;该加速度敏感梁(1)上有对称的台阶,其两端有定位槽,两块电路板(2、3)对称粘接在台阶上,SOI硅微固态压阻芯片(4)设置在加速度敏感梁(1)的中间,SOI硅微固态压阻芯片(4)与两块电路板(2、3)通过引线(5)连接。
地址 710049陕西省西安市咸宁路28号