发明名称 在空间对水溶液晶体生长进行原位实时观察的装置
摘要 本发明涉及一种在空间对水溶液晶体生长进行原位实时观察的装置,是第三代空间晶体生长实验装置,该装置既可在空间微重力条件下,从水溶液中生长单晶体,又可实时原位观察固/液生长界面的浓度场和界面形态变化;本发明结晶器和贮液器在整个装置的中层主体位置;循环泵置于结晶器和贮液器之间;加热器置于结晶器的底部外侧;激光干涉仪置于整个装置的下层;温度控制仪和图像采集组件及图像记录组件置于整机的上层;其结构设计采用大容量结晶器,同时设计两套图像记录系统,所记录的晶体生长原位实时观察资料,可供空间晶体生长的研究。
申请公布号 CN1226469C 申请公布日期 2005.11.09
申请号 CN02141883.7 申请日期 2002.08.27
申请人 中国科学院物理研究所 发明人 陈万春;方竞;马文漪;陈国幼;刘道丹;沈蕴雪
分类号 C30B7/00;C30B35/00 主分类号 C30B7/00
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 周国城
主权项 1、一种在空间对水溶液晶体生长进行原位实时观察的装置,其特征在于,由晶体生长系统和原位实时观察系统组成:其中所述晶体生长系统是由用于生长单晶体、在其侧面开有孔以使激光束通过的结晶器、贮存饱和状态生长溶液的贮液器、提供所述结晶器和所述贮液器热源的加热器、控制所述结晶器和所述贮液器温度的温度控制仪和循环泵组成;所述原位实时观察系统是由使通过所述结晶器的物光和参考光发生干涉而产生干涉条纹来观察和记录固/液生长界面的浓度场和界面形态的激光干涉仪、采集光学干涉图像的图像采集组件和记录和存储干涉图像的图像记录组件组成;其中,所述结晶器和所述贮液器在整个装置的中层主体位置;所述循环泵置于所述结晶器和所述贮液器之间;所述加热器置于所述结晶器的底部外侧;所述激光干涉仪置于所述装置的下层;所述温度控制仪和所述图像采集组件及图像记录组件置于所述装置的上层。
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