半导体元件与其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体元件与其形成方法。该半导体元件包括：基底；位于该基底上的栅极；源极与漏极形成在栅极两侧的基底中；以及具有第一层与第二层的薄间隙壁形成于栅极侧壁，其中第一层与第二层具有在使用相同刻蚀剂时具有相当的刻蚀速率，这里相当的刻蚀速率表示该两刻蚀速率的差距在±10％之间，且其至少为每分钟10埃。本发明提供的半导体元件，其间隙壁的厚度既能保持接触刻蚀停止层的作用，又能有效控制短沟道效应。

主权项

1、一种形成半导体元件的方法，其特征在于包括：在一个半导体基底上形成一个栅极；形成第一间隙壁层；形成多个浅轻掺杂区于该栅极两侧的基底中且通过该第一间隙壁层偏离该栅极；在该第一间隙壁层上形成第二间隙壁层；刻蚀该第一与第二间隙壁层以形成一个厚间隙壁；形成多个源极与漏极区于该栅极两侧的基底中且通过该厚间隙壁偏离该栅极；以及刻蚀该厚间隙壁以形成一个薄间隙壁。