| 主权项 |
1.一种半导体发光装置，具有发射波长λ(nm)和堆叠结构，在第一导电型衬底上，以所述顺序，至少堆叠第一导电型第一覆层、第一导电型第二覆层、有源层结构、第二导电型第二覆层和第二导电型第一覆层，且至少满足以下条件1至3中的一个条件：<条件1>所述第一导电型第一覆层是txn(nm)厚度的AlxnGa1-xnAs层(0＜xn＜0.40)，所述第一导电型第二覆层是tsn(nm)厚度的AlsnGa1-sn层(0＜sn≤1)，tgn(nm)厚度的包含AlgnGa1-gn层(0≤gn＜0.40)的第一光导层存在于所述第一导电型第二覆层和所述有源层结构之间，tgp(nm)厚度的包含AlgpGa1-gp层(0≤gp＜0.40)的第二光导层存在于所述有源层结构和所述第二导电型第二覆层之间，所述第二导电型第二覆层是tsp(nm)厚度的AlspGa1-spAs层(0＜sp≤1)，所述第二导电型第一覆层是txp(nm)厚度的AlxpGa1-xpAs层(0＜xp＜0.40)，且满足以下公式：gn＜xn＜sn gp＜xp＜sp0.08＜sn-xn 0.08＜sp-xptsn/tgn＜1.0 tsp/tgp＜1.0<条件2>所述半导体发光装置是一种半导体激光器，其中对于垂直方向只允许基模传播，所述衬底的垂直方向上的远场图案(所述FFPv)中存在具有最大强度Ivmain的主峰和极值强度分别为Ivsub-和Ivsub+的副峰的半导体激光器发出的光的辐射图案，并满足以下公式：0＜Ivsub/Ivmain＜0.5其中Ivsub代表Ivsub-和Ivsub+中的较高强度者。<条件3>第一导电型第一覆层具有平均折射率nn1和tn1(nm)的厚度，第一导电型第二覆层具有平均折射率nn2和tn2(nm)的厚度，具有平均折射率nng和厚度tng(nm)的第一光导层存在于所述第一导电型第二覆层和所述有源层结构之间，所述有源层结构具有平均折射率na和ta(nm)的整体厚度，具有平均折射率npg和厚度tpg(nm)的第二光导层存在于所述有源层结构和所述第二导电型第二覆层之间，所述第二导电型第二覆层具有平均折射率np2和tp2(nm)的厚度，所述第二导电型第一覆层具有平均折射率np1和tp1(nm)的厚度，且假设如(公式1)中波数k、Vn、Vp、Rn、和Rp为：k＝2π/λVn＝k/2×(ta+tng+tpg)×(nng2-nn12)1/2 Vp＝k/2×(ta+tng+tpg)×(npg2-np12)1/2 Rn＝tn2/tng Rp＝tp2/tpg (公式1)满足(公式2)中的每一个所述关系：nn2＜nn1＜nng＜na np2＜np1＜npg＜na 0.35＜Vn＜0.750.35＜Vp＜0.750.3＜Rn＜0.70.3＜Rp＜0.7 (公式2) |
