| 发明名称 | 磁位移传感器 | ||
| 摘要 | 一种磁位移传感器属位移传感器，由永磁块(4)、两块导磁体(3)与(5)、磁通密度测量元件(2)构成，并与被测物(1)构成一个磁回路，通过测量传感器和被测物之间的气隙处的磁通密度，来得到被测物与传感器之间的距离信息。这种磁位移传感器，结构简单，精度较高，传感器与被测物之间可以被非铁磁物质隔离，对隔离物质没有特殊要求。但被测物只能是导磁率较高的材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1693837A | 申请公布日期 | 2005.11.09 |
| 申请号 | CN200510040268.9 | 申请日期 | 2005.05.27 |
| 申请人 | 南京航空航天大学 | 发明人 | 廖启新;邓智泉;王晓琳;陈姝;刘艳君 |
| 分类号 | G01B7/02 | 主分类号 | G01B7/02 |
| 代理机构 | 南京众联专利代理有限公司 | 代理人 | 谢振龙 |
| 主权项 | 1，一种磁位移传感器，其特征在于，永磁体(4)装在一块导磁体(3)与另一块导磁体(5)之间构成∏形结构的磁路，且与被测物体(1)构成磁回路，磁通密度测量元件(2)置于导磁体端部与被测物体(1)之间的测量气隙中。 | ||
| 地址 | 210016江苏省南京市御道街29号 | ||