发明名称 制造聚合物微结构和聚合物波导的方法
摘要 制造诸如光波导这样的制品的微制造方法,所用前体制品包含(a)基底,(b)覆盖基底的第一聚合物层,(c)覆盖第一聚合物层的第二聚合物层,(d)覆盖第二聚合物层的金属硬掩模层,(e)覆盖金属掩模层的光致成像层,对此前体制品进行照相平版印刷成像、显影和等离子体蚀刻,形成包含基底和第一聚合物层各部分的制品,第一聚合物层的这些部分按照对应于用于照相平版印刷成像的光掩模的图案排列。
申请公布号 CN1695095A 申请公布日期 2005.11.09
申请号 CN03825106.X 申请日期 2003.09.29
申请人 鲁梅热股份有限公司 发明人 R·迪努;J·K·克雷斯巴切;L·J·宾茨
分类号 G03F7/09;G02B6/18 主分类号 G03F7/09
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 顾敏
主权项 1.一种微制造方法,它包括:(A)提供前体制品,它包含:(a)基底;(b)位于基底上的第一聚合物层;(c)位于第一聚合物层上的第二聚合物层;(d)位于第二聚合物层上的金属硬掩模层;(e)位于金属硬掩模层上的光致成像层;(B)用辐射通过具有一定图案的光掩模对光致成像层辐照;(C)对光致成像层进行显影,然后曝光除去图案所确定的光致成像层各部分,露出下面金属硬掩模层上的相应各部分;(D)用第一等离子体蚀刻金属硬掩模层的露出部分,露出下面第二聚合物层的相应部分,而不蚀穿剩余的光致成像层;(E)用不会蚀刻金属硬掩模层剩余部分的第二等离子体蚀刻(i)光致成像层的剩余部分,(ii)第二聚合物层的外露部分,(iii)与第二聚合物层暴露部分相应的第一聚合物层的下面部分,使基底的相应部分露出来;(F)除去剩余的金属硬掩模层和剩余的第二聚合物层,得到制品,所述制品包含基底和覆盖着基底的第一聚合物层一些部分,这些部分物的排列图案对应于光掩模的图案。
地址 美国华盛顿州