| 发明名称 | 铁电体电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在半导体衬底(11)上形成MOS晶体管(14)并进一步进行埋入W插塞(24)的工序后，在整个面上顺序形成Ir膜(25a)、IrO<SUB>x</SUB>膜(25b)、PZT膜(26)和IrO<SUB>x</SUB>膜(27)。这时，对于PZT膜(26)的组分，使Pb量相对Zr量和Ti量过剩。接下来，把Ir膜(25a)、IrO<SUB>x</SUB>膜(25b)、PZT膜(26)和IrO<SUB>x</SUB>膜(27)加工后，进行退火来恢复在形成IrO<SUB>x</SUB>膜(27)等时对PZT膜(26)产生的损伤，同时使IrO<SUB>x</SUB>膜(27)中的Ir扩散到PZT膜(26)中。结果，扩散到PZT膜(26)中的Ir就集中在IrO<SUB>x</SUB>膜(27)与PZT膜(26)的界面上和PZT膜(26)中的晶粒边界上，从而使这些地方的Ir浓度高于晶粒内的Ir浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN1695247A | 申请公布日期 | 2005.11.09 |
| 申请号 | CN200380100790.0 | 申请日期 | 2003.12.10 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 杰弗里·斯科特·克罗斯;冢田峰春;约翰·大卫·巴尼基;野村健二;伊戈尔·斯托里奇诺夫 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L27/105;H01L21/8239 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高龙鑫;张龙哺 |
| 主权项 | 1.一种铁电体电容器，其特征在于，具有下部电极、形成在所述下部电极上的铁电体膜、以及形成在所述铁电体膜上并由导电性化合物构成的上部电极；构成所述导电性化合物的正离子也存在于所述铁电体膜中。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||