| 发明名称 | 半导体发光装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体发光装置，其中在活性层中自发电场的产生减小，从而能够提高亮度。半导体发光装置(1)装备有n－类型包层(3)；安置在n－类型包层(3)上的p－类型包层(7)；以及由氮化物构成并安置在n－类型包层(3)与p－类型包层(7)之间的活性层(5)，其中其特征在于通过正交于n－类型包层(3)和活性层(5)之间的界面的轴与活性层(5)的c－轴形成角度，以及通过正交于活性层(5)和p－类型包层(7)之间的界面的轴与活性层(5)的c－轴形成的角度，每个所述角度都大于零。 | ||
| 申请公布号 | CN1694272A | 申请公布日期 | 2005.11.09 |
| 申请号 | CN200510066894.5 | 申请日期 | 2005.04.30 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 上松康二;上野昌纪;弘田龙;中幡英章;奥井学 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 程金山 |
| 主权项 | 1.一种半导体发光装置，具有：第一导电型半导体层，其由六方化合物构成；第二导电型半导体层，其由六方化合物构成并安置在第一导电型半导体层上方；和活性层，其由六方化合物构成并安置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间；所述发光装置的特征在于：正交于活性层与第一导电型半导体层的界面的轴和正交于活性层与第二导电型半导体层的界面的轴中的每个都与活性层中的c-轴形成角度，每个角度都大于零。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||