发明名称 |
去除或减少氧化物薄膜中表面颗粒的方法和专用抛光棒 |
摘要 |
本发明涉及一种去除或减少氧化物薄膜中表面颗粒的方法和专用抛光棒。该方法包括:分别将薄膜样品与抛光棒用丙酮、酒精进行超声清洗,然后将抛光棒垂直压在薄膜表面上,确保抛光面紧密、均匀的与薄膜表面接触,迅速移动抛光棒,将颗粒消除。重复次数越多,消除颗粒的效果越明显。为了确保薄膜的性能不变,将表面处理后的薄膜进行后退火处理,其条件可根据该膜制备时的工艺条件而改变。专用抛光棒包括手柄,一具有柔软的材料制作的表面光滑的底座,该底座垂直固定在手柄末端,底座的底面为抛光面。该方法工艺简单,重复性好,造价低廉,处理后的薄膜样品表面颗粒明显减少,性能保持不变,甚至更好。为制备出性能优良的微波器件打下良好的基础。 |
申请公布号 |
CN1226754C |
申请公布日期 |
2005.11.09 |
申请号 |
CN02129536.0 |
申请日期 |
2002.09.12 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
何萌;周岳亮;谈国太;陈正豪;吕惠宾;杨国桢 |
分类号 |
H01B13/00;H01B12/06;H01L39/24;C04B35/00 |
主分类号 |
H01B13/00 |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王凤华 |
主权项 |
1.一种去除或减少氧化物薄膜中表面颗粒的方法,其特征在于包括以下步骤:第一步:取制备好的氧化物薄膜,首先用酒精进行超声清洗10~30分钟,直至样品表面清洁为止;第二步:用一根包括手柄、一由橡胶或聚四氟乙烯材料制作的底座垂直固定在手柄末端,其底座的底面为抛光面的抛光棒;将该抛光棒的抛光面分别用丙酮、酒精超声清洗10~30分钟,直至抛光面表面清洁为止;第三步:将抛光棒的抛光底面垂直压在薄膜表面上,确保抛光面紧密、均匀地与薄膜表面接触,迅速在薄膜表面上移动抛光棒,并重复二次以上,从而减少或去除氧化物薄膜表面中的颗粒。 |
地址 |
100080北京市海淀区中关村南三街8号 |