保形性、应力和化学气相沉积层成分独立可变的甚低温化学气相沉积工艺

摘要

一种在工件上沉积含硅、氮、氢或氧中的任何元素的涂层的低温工艺，包括将该工件放置在反应室中并面向反应室工艺区，将含硅、氮、氢或氧中的任何元素的工艺气体注入反应室，通过向在反应室外部、形成再进入路径一部分的再进入管的一部分施加约10兆赫大小的高频射频等离子体源功率，在通过工艺区的再进入路径中产生环形射频等离子体流，向工件施加一或几兆赫大小的低频射频等离子体偏压功率，维持工件的温度在大约100℃以下。

主权项

1.一种在工件上沉积含半导体元素、氮、氢或氧中的任何元素的涂层的低温工艺，其特征是上述工艺包括：将工件放置在反应室中并面对反应室中的工艺区；向反应室中注入含半导体元素、氮、氢或氧中的任何元素的工艺气体；通过向在反应室外部并构成再进入路径一部分的再进入管的一部分施加第一频率的射频等离子体源功率，在通过工艺区的再进入路径中产生环形射频等离子体流。