不具有钒控制的半绝缘碳化硅

摘要

公开了一种碳化硅的半绝缘体单晶，它具有至少5000Ω－cm的室温电阻率和建立离价带或者导带至少700meV的能态的俘获元素浓度，该浓度低于影响晶体电阻率的量，优选低于可检测的水平。还公开了形成晶体的方法以及一些得到的器件，这些器件采用利用本发明衬底形成的器件的微波频率能力。

主权项

1.一种半绝缘碳化硅单晶，包括：在所述碳化硅单晶中的施主掺杂剂、受主掺杂剂和本征点缺陷；其中第一导电类型的掺杂剂数量比第二导电类型的掺杂剂数量大；和所述碳化硅晶体中起补偿占优势的第一掺杂剂作用的本征点缺陷的数量比某一个数值差大，通过该数值差，所述第一类型掺杂剂控制所述第二类型掺杂剂；过渡元素的浓度小于1E16；所述碳化硅单晶至少具有5000欧姆-cm的室温电阻率。