| 发明名称 |
THE METHOD FOR RECOVERY OF ERRORS IN NAND FLASH MEMORY BLOCK |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR20050105311(A) |
申请公布日期 |
2005.11.04 |
| 申请号 |
KR20040029692 |
申请日期 |
2004.04.28 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
KIM, HYUNG HOON |
| 分类号 |
G06F12/16;(IPC1-7):G06F12/16 |
主分类号 |
G06F12/16 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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