Niedrig dotierte Schicht für ein nitrid-basiertes Halbleiterbauelement

摘要

Eine wiederholbare und einheitlich niedrig-dotierte Schicht wird gebildet mittels Modulationsdotierens durch das Bilden sich abwechselnder Teilschichten aus dotiertem und undotiertem Nitrid-Halbleitermaterial auf einer anderen Schicht. Eine Schottky-Diode wird aus einer solchen niedrig-dotierten Nitrid-Halbleiter-Schicht gebildet, die auf einer weit höher dotierten Nitrid-Halbleiter-Schicht abgeschieden wird. Das sich ergebende Bauelement hat sowohl einen niedrigen Einschaltwiderstand, wenn das Bauelement in Durchlassrichtung geschaltet ist, und eine hohe Durchschlagspannung, wenn das Bauelement in Sperrichtung geschaltet ist.