| 摘要 |
Eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Waferplanierung werden offenbart. Die offenbarte Vorrichtung umfasst ein Flüssigstickstoff-Zuführrohr, ein mit einem Stickstoffgas-Versorgungsbehälter über ein Ventil verbundenes Stickstoffgas-Zuführrohr, ein mit dem Stickstoffgas-Zuführrohr verbundenes Ätzmittel-Zuführrohr, einen mit dem Stickstoffgas-Zuführrohr verbundenen Sprühdüsenteil und eine Kammer, in deren Oberteil Sprühdüsen befestigt sind und in deren Unterteil eine Waferdrehvorrichtung angeordnet ist. Die offenbarte Vorrichtung und ein entsprechendes Verfahren weisen den Vorteil auf, dass die ganze Waferoberfläche durch Sprühen des Ätzmitteldampfs mit hohem Druck auf die sich mit hoher Geschwindigkeit drehende Waferoberfläche planiert wird.
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